CMP是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段,这种工艺就是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面而专门设计的。CMP 中的化学反应完全改变了衬底表面原子或分子间的键能，使其变成弱键合分子，一旦机械作用传递的能量足以断裂弱键合分子所需的能量，结果表现为衬底表面凸起部分在原子或分子尺度上发生材料去除。因此，CMP加工表面的粗糙度最小，且不会产生次表面损伤层。该设备配备终点检测系统，晶圆夹具具有背压功能，因此该设备不仅满足基底CMP的需求，同时可完全运用于集成电路中所需的薄膜CMP的需求。